Исаму Акасаки: јапонски научник и нобеловец

   

Исаму Акасаки
Роден(а)	30 јануари 1929(1929-01-30) (95 г.) Хиран, Каванабе, Кагошима
Установи	Универзитет „Мејџо“ Нагојски универзитет
Образование	Кјотски универзитет Нагојски универзитет
Поважни награди	Ашаиова награда (2001) Такедова награда (2002) Едисонов медал (2011) Нобелова награда за физика (2014)

За оваа негова работа Акасаки е награден со Кјотската награда за напредна технологија во 2009 година и the Едисоновиот медал во 2011 година. Тој е исто така награден и со Нобеловата награда за физика во 2014 година, заедно со Хироши Амано и Шуџи Накамура.

Роден во префектурата Кагошима, Акасаки дипломирал на Кјотскиот универзитет во 1952 година, и се стекнал со докторат за електроника од Нагојскиот универзитет во 1964 година. Тој започнал да работи на светелчките диоди засновани на GaN во доцните шесеети години на минатиот век. Чекор по чекор, тој го подобрувал квалитетот на кристалите на GaN и структурата на направите при Истражниот институт „Мацушита“ во Токио, каде тој одлучил да ја примени металоорганската епитаксна парејна фаза како погоден метод за раст на GaN.

Во 1981година тој започнува одново со растот на GaN пти Нагојскиот универзитет, и во 1985 година тој и неговата група успеале да создадат висококвалитетен GaN на сафирен супстрат со користење на пионерската нискотемпературна слојно нанесувачка технологија.

Овие висококвалитетни GaN-ни кристали им овозможиле да го откријат p-типот на GaN со примеси на магнезиум (Mg) и последователно активирање со електронско озрачување, за да се добие првиот GaN p-n сврзна сина/УВ светлечка диода, при што се постигнала проводничка контрола на n-типот GaN and related alloys (1991) со примеси на силициум (Si), што овозможило употреба на хетеро структури и повеќекратни квантни празнини при осмислувањето и создавањето на поефикасен p-n сврзни светлечко емитувачки структури.

Тие постигнале и стимулирана емисија од GaN првично на собна температура во 1990 година, и во 1995 година развиле стимулирана емисија на 388 nm со внесување на пулсирачка струја оф висококвалитетна AlGaN/GaN/GaInN квантна јама. Тие го потврдиле квантно големинскиот ефект во 1991 година, и квантно ограничениот Старков ефект во 1997 година кај нитридните системи, а во 2000 година ја покажале теоретски ориентационата зависност на пиезоелектричното поле и постоењето на не/полуполарни GaN-ни кристали, кои го поттикнале денешното движење за раст на овие кристали ширум светот, за примена како поефикасни светлиски извори.

Патетнитите на професорот Акасаки биле создадени од овие негови откритија, и патентите биле наградени со авторски хонорари. Акасаки институтот при Нагојскиот универзитет е отворен на 20 октомври 2006 година. Трошокот за изградбата на институтот била покриена со заработката од авторските хонорари на универзитетот, кој бил користен за различни истражувања на Нагојскиот универзитет. Институтот се состои од LED галерија за историјата на сините светлечки диоди нивниот развој и примена, и канцеларија за истражувачка соработка, лаборатории за иноватовно истражување, каде е и канцеларијата на професорот Акасаки на последниот шести спрат. Институтот е сместен во центарот на истражувачката зона за соработка при Нагојскиот универзитет при кампусот Хигашијама.

• 1952-1959Истражен научник при претпријатието „Кобе Кјого“ (денес, Fujitsu Ltd.)
• 1959-1964 Истражен сосработник, помошник професор и соработник професор, при одделот за електроника на Нагојскиот универзитет
• 1964-1974 Раководител на основната истражна лабораторија 4, Истражен институт „Мацушита“ Токио.
• 1974-1981 Генерален раководител на одделот за полупроводници при истиот институт
• 1981-1992 Професор на одделот за електроника на Нагојскиот универзитет
• 1987-1990 Проектен водач за „развој и создавање на GaN-ни светлечки диоди“ спонзориран од Јапонската агенција за наука и технологија
• 1992–денес Професор во пензија на Нагојскиот универзитет, професор на универзитетот „Мејџо“
• 1993-1999 Проектен водач за „развој и создавање на GaN-ни краткобрановодолжински ласерски диоди “ спонзориран од Јапонската агенција за наука и технологија
• 1995-1996 Посетител професор на Истражниот центар за гранична квантна електроника при Хокаидскиот Универзитет
• 1996-2001 Проектен водач на проектот на Јапонското друштво за промоција на науката “истражување за иднината“
• 1996-2004 Проектен водач на „Високотехнолошкиот центар за нитридни полупроводници“ при универзитетот „Мејџо“, спонзориран од MEXT
• 2001–денесИстражен член на Акасакиевиот Институт при Нагојскиот универзитет
• 2003-2006 Раководител на „Стратегискиот комитет R&D за безжични направи засновани на нитридни полупроводници“ спонзориран од METI
• 2004–денес Директор на Истражувачкиот центар за нитридни полупроводници на универитетот „Мејџо“

Научни и академски

• 1989 Награда од Јапонското здружение за кристален раст (JACG)
• 1991 Културната награда „Чуничи“
• 1994 Награда за технолошки придонеси, Јапонското здружение за кристален раст по повод славењето на својата 20 годишнина
• 1995 Хајнрих Велкеров златен медал, Меѓународен симпозиум за соединенски полуповодници
• 1996 Награда за инженерски достигнувања, Институт за електрични и електронски инженери/Ласерско електро-оптичко друштво
• 1998 наградата „Инуе Харушиге“, Јапонска научна и технолошка агенција
• 1998 Награда C и C , претпријатие „NippонElectric“
• 1998 Laudise Prize, Меѓународна организација за кристален раст
• 1998 Џек Мортонова награда, Институт за електрични и електронски инженери
• 1998 Ранкова награда, Ранкова наградна фондација
• 1999 Член на Институтот за електрични и електронски инженери
• 1999 Гордон Мурова награда, Електрохемиско друштво
• 1999 Почесен докторат, Универзитет во Монпелје II
• 1999 Тореева научна и технолошка награда, Тореева научна фондација
• 2001 Ашајова награда, Културна фондација „Ашаи Шинбун“
• 2001 Почесен докторат, Линкопиншки универзитет
• 2002 Награда за извонредни достигнувања, Јапонско друштво за применета физика
• 2002 Фуџихарина награда, Фуџихарина фондација за наука
• 2002 Такедова награда, Фондација „Такеда“
• 2003 Претседателска награда, Научен совет на Јапонија (SCJ)
• 2003 Награда за цврсти направи и материјали (SSDM)
• 2004 Културната награда на Токај ТВ
• 2004 Универзитетски професор, Нагојски универзитет
• 2006 Бардинова награда, Друштво за минерали метали и материјали
• 2006 Награда за инзворедни достигнувања, Јапонско здружение за кристален раст
• 2007 Почесна награда за доживотни достигнувања, Јапонско друштво за промоција на науката (JSPS)
• 2008 Странски член на Американската национална академија за инженерство
• 2009 Кјотска награда за напредна технологија, Фондација „Инамори“
• 2010 Доживотен професор, универзитет „Мејџо“
• 2011 Едисонов медал, Институт за електрични и електронски инженери
• 2011 Специјална награда за дејност во полето на интелектуалната сопственост, Јапонска агенција за наука и технологија
• 2011 Минами-Нипонска културна награда-почесна награда
• 2014 Нобелова награда за физика заедно со Хироши Амано и Шуџи Накамура
• 2015 Драперова награда

Национални

• 1997 Медал со виолетова лента, јапонската влада
• 2002 Орден на изгрејсонцето, златни зраци со околувратна лента, јапонската влада
• 2004 Лице со културни заслуги, јапонската влада
• 2011 Орден на културата, јапонскиот цар

• http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2014/
• http://www.compoundsemiconductor.net/csc/adminpanel/uploads/magazine_images/CompoundSemiconductor_Issue1.pdf^{[мртва врска]} (pp. 17–19)
• http://www.nature.com/naturejobs/2009/091008/full/nj0264.html#excellence-in-education-and-research
• http://www.nature.com/naturejobs/2009/091008/full/nj0264.html#industrial�academic-collaborations-going-global
• Insights & Enterprise in PHOTONICS SPECTRA,54　November,2004
• Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 639(2000)　xxiii－xxv,