Ісаму Акасакі

Лаўрэат Нобелеўскай прэміі па фізіцы, член Японскай акадэміі навук (2014). Вынаходнік яркіх сініх нітрыд-галіевых паўправадніковых святлодыёдаў (1989 год) і пасля нітрыд-галіевых сініх святлодыёдаў падвышанай яркасці.

Ісаму Акасакі
яп.: 赤﨑 勇
Дата нараджэння	30 студзеня 1929(1929-01-30)[…]
Месца нараджэння	Тыран[d], Kawanabe district[d], Кагосіма, Японія
Дата смерці	1 красавіка 2021(2021-04-01) (92 гады)
Месца смерці	Нагоя, прэфектура Айты, Японія
Грамадзянства	Японія
Род дзейнасці	фізік, прафесар, інжынер, даследчык
Навуковая сфера	фізік
Месца працы	Нагойскі ўніверсітэт Універсітэт Мейдзё[d] Panasonic[d] Denso Ten[d]
Навуковая ступень	доктар інжынерыі[d] і бакалаўр навук[d]
Альма-матар	Кіёцкі ўніверсітэт Вышэйшая школа Кёнан[d] Сёмая вышэйшая школа[d] Нагойскі ўніверсітэт
Член у	Інстытут інжынераў электратэхнікі і электронікі[d]
Узнагароды	медаль Эдысана[d] (2011) Прэмія Чарльза Старка Дрэйпера[d] (2015) заслужаны дзеяч культуры[d] (2004) прэмія Кіёта ў галіне перадавых тэхналогій[d] (2009) прэмія Асахі[d] (2000) член IEEE[d] Імператарская прэмія Японскай акадэміі[d] (7 ліпеня 2014) Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology[d] IEEE Jack A. Morton Award[d] (1998)
Медыяфайлы на Вікісховішчы

Нарадзіўся і вырас у прэфектуры Кагосіма, дзе падчас вайны яго дом быў разбураны, а сам ён ледзь не загінуў у выніку налёту амерыканскай авіяцыі. У 1952 годзе скончыў Кіёцкі універсітэт і некаторы час працаваў у кампаніі Kobe Kogyo Co. (зараз Denso Ten^[en]). З 1959 года займаўся даследчай працай у галіне электронікі ў Нагойскім універсітэце і ў 1964 годзе атрымаў ступень доктара тэхнічных навук. Затым працаваў у кампаніі Matsushita Electric Industrial, дзе ўзначальваў лабараторыю фундаментальных даследаванняў і аддзяленне па даследаванні паўправаднікоў. З 1981 года прафесар факультэта электронікі Нагойскага ўніверсітэта. З 1992 года працаваў ва Універсітэце Мэйдзё, дзе з 1996 года быў дырэктарам Цэнтра па даследаванні нітрыдных паўправаднікоў. У 2004 годзе Нагойскі ўніверсітэт прысвоіў яму званне ганаровага прафесара; у 2006 годзе тут адкрыўся названы ў яго гонар Інстытут Акасакі.

З 1973 года праводзіў поўнамаштабныя даследаванні, накіраваныя на стварэнне сініх паўправадніковых святлодыёдаў. Тэхналогія стварэння чырвоных і зялёных святлодыёдаў была да таго часу распрацавана. Праблемай было атрыманне патрэбных паўправадніковых крышталяў добрай якасці; самымі папулярнымі кандыдатамі былі нітрыд галію і селенід цынку, аднак апошні не адрозніваўся вельмі высокай стабільнасцю. У 1985 годзе Акасакі з супрацоўнікамі дасягнуў поспеху, прапанаваўшы вырошчваць крышталі нітрыду галію на падкладцы з сапфіру, пакрытай буферным пластом нітрыду алюмінію. У 1989 годзе яны паказалі, што легаванне атамамі магнію ператварае крышталь нітрыду галію ў паўправаднік р-тыпу, здольны даваць значна больш інтэнсіўнае свячэнне. На гэтай аснове ў пачатку 1990-х гадоў былі створаны першыя сінія святлодыёды.

• 1991 — Прэмія газеты «Цюніці»
• 1995 — Залаты медалі Генрыха Велкера
• 1996 — Медаль з пурпурнай стужкай
• 1998 — Прэмія Ранка
• 1998 — C&C Prize
• 1999 — Медаль Гордана Мура
• 1999 — Toray Science and Technology Prize
• 2000 — Прэмія Асахі
• 2002 — Ордэн Узыходзячага сонца
• 2002 — Прэмія Фудзівары
• 2004 — Заслужаны дзеяч культуры
• 2008 — Замежны член Нацыянальнай інжынернай акадэміі ЗША
• 2009 — Прэмія Кіёта па перадавых тэхналогіях
• 2011 — Ордэн Культуры
• 2011 — Медаль Эдысана
• 2014 — Імператарская прэмія Японскай акадэміі навук
• 2014 — Нобелеўская прэмія па фізіцы сумесна з Хіросі Амана і Сюдзі Накамура.
• 2015 — Прэмія Чарльза Старка Дрэйпера (у ліку ўзнагароджаных таксама Сюдзі Накамура і Нік Халаньяк).
• 2021 — Прэмія каралевы Лізаветы II у галіне інжынернай справы