Акасаки, Исаму

Лауреат Нобелевской премии по физике, член Японской академии наук (2014). Изобретатель ярких синих нитрид-галлиевых полупроводниковых светодиодов (1989 год) и впоследствии нитрид-галлиевых синих светодиодов повышенной яркости.

Исаму Акасаки
яп. 赤﨑 勇
Дата рождения	30 января 1929(1929-01-30)
Место рождения	Тиран, Kawanabe district[d], Кагосима, Япония
Дата смерти	1 апреля 2021(2021-04-01) (92 года)
Место смерти	Нагоя, Япония
Страна	Япония
Научная сфера	физик
Место работы	Нагойский университет Matsushita Electric Industrial Университет Мэйдзё[en]
Альма-матер	Киотский университет
Учёная степень	доктор инженерии[d] и бакалавр наук
Награды и премии	Нобелевская премия по физике (2014) Премия Киото (2009)
Медиафайлы на Викискладе

Родился и вырос в префектуре Кагосима, где во время войны его дом был разрушен, а сам он едва не погиб в результате налёта американской авиации. В 1952 году окончил Киотский университет и некоторое время работал в компании Kobe Kogyo Co. (сейчас Denso Ten^[en]). С 1959 года занимался исследовательской работой в области электроники в Нагойском университете и в 1964 году получил степень доктора технических наук. Затем работал в компании Matsushita Electric Industrial, где возглавлял лабораторию фундаментальных исследований и отделение по исследованию полупроводников. С 1981 года профессор факультета электроники Нагойского университета.. С 1992 года работал в Университете Мэйдзё^[en], где с 1996 года был директором центра по исследованию нитридных полупроводников. В 2004 году Нагойский университет присвоил ему звание почётного профессора; в 2006 году здесь открылся названный в его честь Институт Акасаки.

С 1973 года проводил полномасштабные исследования, направленные на создание синих полупроводниковых светодиодов. Технология создания красных и зелёных светодиодов была к тому времени разработана. Проблемой было получение нужных полупроводниковых кристаллов хорошего качества; самыми популярными кандидатами были нитрид галлия и селенид цинка, однако последний отличался не очень высокой стабильностью. В 1985 году Акасаки с сотрудниками достиг успеха, предложив выращивать кристаллы нитрида галлия на подложке из сапфира, покрытой буферным слоем нитрида алюминия. В 1989 году они показали, что легирование атомами магния превращает кристалл нитрида галлия в полупроводник p-типа, способный давать гораздо более интенсивное свечение. На этой основе в начале 1990-х годов были созданы первые синие светодиоды.

• 1991 — Премия газеты «Тюнити»^[ja]
• 1995 — Золотая медаль Генриха Велкера^[de]
• 1996 — Медаль с Пурпурной Лентой^[ja]
• 1998 — Премия Ранка
• 1998 — C&C Prize
• 1999 — Медаль Гордона Мура^[en]
• 1999 — Toray Science and Technology Prize
• 2000 — Премия Асахи
• 2002 — Орден Восходящего солнца
• 2002 — Премия Фудзивары^[ja]
• 2004 — Заслуженный деятель культуры^[en]
• 2008 — Иностранный член Национальной инженерной академии США
• 2009 — Премия Киото по передовым технологиям
• 2011 — Орден Культуры
• 2011 — Медаль Эдисона
• 2014 — Императорская премия Японской академии наук
• 2014 — Нобелевская премия по физике совместно с Хироси Амано и Сюдзи Накамурой.
• 2015 — Премия Чарльза Старка Дрейпера (в числе награждённых также Сюдзи Накамура и Ник Холоньяк).
• 2021 — Премия королевы Елизаветы II в области инженерного дела