赤崎勇: 研究者

赤崎勇 赤﨑 勇（あかさき いさむ）
出生	(1929-01-30)1929年1月30日  大日本帝国鹿兒島縣川邊郡知覽村（現南九州市）
逝世	2021年4月1日(2021歲—04—01)（92歲）  日本愛知縣名古屋市
国籍	日本
母校	京都大學 名古屋大學
知名于	開發氮化鎵結晶化技術，完成世界第一個高亮度的藍色發光二極管
配偶	赤崎陵子
奖项	C&C獎（日语：C&C賞）（1998） IEEE Jack A. Morton Award（1998） 朝日獎（2000） 文化功勞者（2004） 京都獎（2009） IEEE愛迪生獎章（2011） 文化勳章（2011） 日本學士院獎・恩賜獎（2014） 諾貝爾物理學獎（2014） 查爾斯·斯塔克·德雷珀獎（2015）
科学生涯
研究领域	物理學、工程學
机构	松下電器 名城大學 名古屋大學
博士生	天野浩
备注
親屬： 赤崎正則（日语：赤崎正則）（兄）

赤崎教授於2014年凭借「發明高亮度藍色發光二極管，帶來了節能明亮的白色光源」与天野浩、中村修二共同获得諾貝爾物理學獎，他也是繼羅伯特·密立根之後，史上第2位兼有諾貝爾獎暨IEEE愛迪生獎章榮譽的科學家。

1929年1月30日，赤崎勇出生於日本鹿兒島縣，幼時曾有躲避美軍戰機的經歷，終身反戰。1952年京都大學理學部畢業，1964年獲得工學博士（名古屋大學）學位。其後曾服務於神戶工業（現电装天）、名古屋大學、松下電器等單位。

在1960年代末，他开始工作于氮化鎵（GaN）基蓝光LED。一步一步，他改进的GaN晶体质量和器件结构，在松下研究所东京公司（MRIT）那里，他决定采用有机金属化学气相沉积法作为首选的GaN生长方法。

1986年，赤崎勇以低溫沉積（AlN）氮化鋁緩衝層技術成功生產高品質的GaN晶體。1989年，他與門生天野浩完成p型GaN的結晶化，首次觀測到p型材料的劇烈發光，並以GaN的pn構成完成了藍色發光二極管。同一時期，赤崎的學生也包括日後的中國知名企業家唐駿。

1990年，赤崎師徒完成室溫下紫外線暴露GaN的誘導放射。基於上述的各階段突破，1992年，他們發明了人類史上第一個高亮度藍色發光二極體。1995年，進一步完成注入量子多重化電流的GaN/GalnN誘導放射。自此開始，赤崎勇就一直是熱門的諾貝爾獎候選人之一。在2009年至2014年的名古屋大學官方簡介中，赤崎一直與另外4位名大的諾貝爾獎得主（野依、小林、益川、下村）並列。

 

赤崎教授的发明产生了专利，专利被奖励特许权使用费，其中一部份用於建立2006年10月20日開設的「名古屋大学赤崎纪念研究馆」（Nagoya University Akasaki Institute） 。研究館建有一个展示藍光LED研究/开发和应用的历史的LED画廊，一个科研合作办公室，一个创新研究实验室，和赤崎教授的顶部六楼的办公室。该研究馆坐落在名古屋大学东山校区合作研究区域的中心。

赤崎勇與天野浩、中村修二於2014年10月7日獲得諾貝爾物理學獎。翌日赤崎與江崎玲於奈（1973年諾貝爾物理學獎得主）進行電話會談，他們討論了彼此發明的社會影響力，也提到「日本人特有的毅力」是成功的重要原因。

赤崎是首位九州出身的日本人諾貝爾獎得主，亦締造若干國內紀錄，包括首次師徒同時獲獎（與天野浩）；獲獎年齡第二高（85歲，僅次於南部陽一郎的87歲）；最高齡出席頒獎典禮。

根據諾貝爾獎委員會，有關3人貢獻的主要區別是：

• 赤崎：以低溫沉積氮化鋁（AIN）緩衝製成高品質GaN
• 天野：實現pn結GaN
• 中村：對實用級高效能藍色LED的一系列成就、貢獻（基於InGaN（英语：Indium gallium nitride），但官方文件未載）

• 1996年 紫綬褒章
• 2002年 勳三等旭日中綬章
• 2004年 文化功勞者
• 2011年 文化勳章

• 電気・電子材料（1985年9月、朝倉書店）
• III-V族化合物半導体（1994年5月、培風館）
• 青色発光デバイスの魅力―広汎な応用分野を開く（1997年4月、工業調査会）
• III族窒化物半導体（1999年12月、培風館）

2018年4月，名古屋廣小路商店街設置3座手形像，以紀念下村脩、赤崎勇、天野浩3人的功績。

• 日本人諾貝爾獎得主
• 京都大學諾貝爾獎得主列表
• 天野浩
• 中村修二
• 西澤潤一

• 「青色発光ダイオード開発物語～赤﨑勇 その人と仕事～」 - （全44分） 2004年^{[永久失效連結]}（日語）
• 坚持到底是赤崎勇的成功之道（中文）
• 赤﨑 勇 Isamu Akasaki （页面存档备份，存于互联网档案馆）（中文）