ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್

ಇವುಗಳನ್ನು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಕೇತಗಳ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಉನ್ನತೀಕರಿಸಲು, ವರ್ಧಿಸಲು ಅಥವಾ ತಡೆ ಹಿಡಿಯಲು ಉಪಯೋಗಿಸಲಾಗುತ್ತವೆ. ಇದರ ಹೆಸರು "ಪ್ರಸಾರ" ಮತ್ತು "ತಡೆ" ( Trasfer ಮತ್ತು Resist -> Transist) ಎಂಬ ಪದಗಳಿಂದ ಬಂದಿದೆ. ಹೇಗೆ Resist ಮಾಡುವುದು Resistor .. ಹಾಗೆ Transist ಮಾಡುವುದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್. ೧೯೨೫ರಲ್ಲಿ ಕೆನಡಾದ ಜೂಲಿಯಸ್ ಲಿಲಿಯನ್ಫೆಲ್ಡ್ ಮೊದಲ FET ಬಗೆಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಬಗ್ಗೆ ಪ್ರಕಟಿಸಿ ಪೇಟೆಂಟ್ ತಗೆದುಕೊಂಡಿದ್ದರು. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವೇಷಿಸಿದ್ದು ವಿಲಿಯಮ್ ಶಾಕ್ಲೆ , ಬಾರ್ಡೀನ್ ಮತ್ತು ಬ್ರಾಟೇನ್ ಎಂಬ ಮೂವರು ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನಲ್ಲಿ ೩ ವಲಯಗಳಿವೆ, ಅವುಗಳನ್ನು ಬೇಸ್, ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಮತ್ತು ಎಮಿಟರ್ ಏಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಯಾವಾಗಲೂ ಬೇಸ್ ವಲಯ ಕಿರಿದಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕಲೆಕ್ಟರ್ ವಲಯ ಹಿರಿದಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ನಲ್ಲಿ ೨ ಬಗೆ ಅವಾವುವೆಂದರೆ PNP ಮತ್ತು NPN, ಜಗತ್ತಿನಲ್ಲಿ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ NPN ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿದೆ.

ಆನ್ ಆಗಿದ್ದಾಗ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಕೇತವನ್ನು ( ಕರೆಂಟ್ ಅಥವಾಾ ವೋಲ್ಟೇಜು) ಒಂದು ಕಡೆಯಿಂದ ಇನ್ನೊಂದು ಕಡೆಗೆ ಸಾಗಿಸುತ್ತದೆ ( Transfers) ಆಫ offಆಗಿದ್ದಾಗ ಈ ಸಂದೇಶದ ಸಾಗಣೆಗೆ ತಡೆ ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ(resists). ಮೂಲತಹ ಡಿಜಿಟಲ್ { ೦ ( off) ಮತ್ತು ೧ (on) ಸಂಕೇತಗಳಿಂದ ಮಾತ್ರ ಕೆಲಸಮಾದುವಂತಹುದು!} ವಸ್ತುವಾದ ಈ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು analog applications ಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ.

BJT ಗಳು ಇಂದಿನ IC (Inegrated Circuit) ಗಳಲ್ಲಿ ಇಲ್ಲವೇನೋ ಎಂಬಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಬಳಕೆಯಾಗುತ್ತವೆ. BJT ಗಳಲ್ಲದೇ ಇನ್ನೊಂದು ರೀತಿಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳಿವೆ.ಇವುಗಳನ್ನು MOSFET( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ಅನ್ನುತ್ತಾರೆ. ಇಂದಿನ ಎಲ್ಲ IC ಗಳ ಜೀವಾಳ ಈ MOSFET ಗಳು.

BJT ಗಿಂತ ಬಹಳ ಹಿಂದೆಯೇ FET ( ೧೯೨೬) ಕಂಡು ಹಿಡಿದಿದ್ದರೂ ಬಹಳಷ್ಟು ದಿನ ಇದು ಅಜ್ನಾತವಾಸದಲ್ಲಿತ್ತು. ಸುಮಾರು ೬೦ನೆ ದಶಕದಲ್ಲಿ ಮತ್ತೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ( Inegrated Circuit ಗಳಲ್ಲಿ ) ಬಳಕೆಗೆ ಬಂತು. ಈಗಂತೂ ಮಾಸ್ ಫೆಟ್ಗಳು BJT ಗಳನ್ನು ಹಿಂದಿಕ್ಕಿ ಒಂದು ಚಿಪ್ ನ ಬಹುತೇಕ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಆಕ್ರಮಿಸಿಕೊಂಡಿವೆ.

ಇನ್ನು ಈ ಮಾಸ್ ಫೆಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ಎರಡು ರೀತಿ. p-ಮಾಸ್ ಮತ್ತು n-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‍ಗಳು.

n-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳಲ್ಲಿ ( n ಅಂದ್ರೆ negative ) ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ( electron are charge carriers). p-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳಲ್ಲಿ ( p ಅಂದ್ರೆ positive ) ಹೋಲ್ ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿಯಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ( holes are charge carriers). ಈ p-ಮಾಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಳು n-ಮಾಸ್ ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಸ್ವಲ್ಪ ನಿಧಾನ.

 

Transistors ಸಂಬಂಧಿತ ಮೀಡಿಯಾ ವಿಕಿಮೀಡಿಯ ಕಾಮನ್ಸ್‌ನಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿದೆ.