Memoria Volatilis: Volatilis computatri memoria
Memoria volatilis, sive RAM (acronymum e locutione Anglica random access memory), est volatilis computatri memoria ad legendum et scribendum dicatum.
Quae memoria est instabilis, quia omnia signa et data quae ei insunt amittuntur cum energia electrica careat vel deficiat.
Cellulae memoriales
Cellulae memoriales elementa computatri memoriae principales sunt. Singularis cellula circuitus electronicus unitatem modo singularem, bit vocata, accipit. Valoris "unum" onere electrico cellula ad logice unum ("1") ponatur, reponatur invicem ad logice nullum ("0"). Valor intra cellulam memorialem persistet donec onus electricum externum mutationem (ponere seu reponere) statūs imperat. Legente intra cellulam valor adipiscitur. Duo genera memoriarum nota sunt, DRAM et SRAM.
.PNG) | .svg) |
Primus typus, D-RAM (de dyname), condensatris laborat. Onerante ac deonerante condensatrum cellulae istud valore "1" sive "0" sumitur. De natura, condensatri onus tardius defluit, ergo onus renovandi necesse est. Renovandi autem processu causa, DRAM magis oneris consumit, sed memoriā staticā SRAM memoriae densitas maior est.
Altero in typo S-RAM (de statu), cellulis memorialibus multivibratorum bistabilium circuitus (flip-flop), transistrum effecti campi (FET) adhibentes, sunt. Pro eo, SRAM oneris consumptio electrici parva est, at densitas minor quoque.
Nexus interni
- Discus fixus
- ROM, contrarium
Notae
Bibliographia
This article uses material from the Wikipedia Latina article Memoria volatilis, which is released under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 license ("CC BY-SA 3.0"); additional terms may apply (view authors). Textus sub CC BY-SA 4.0 praebetur nisi aliter indicatus. Images, videos and audio are available under their respective licenses.
®Wikipedia is a registered trademark of the Wiki Foundation, Inc. Wiki Latina (DUHOCTRUNGQUOC.VN) is an independent company and has no affiliation with Wiki Foundation.