Fermi-Dirac-Statistik: Begriff der physikalischen Quantenstatistik

Die Fermi-Dirac-Statistik (nach dem italienischen Physiker Enrico Fermi (1901–1954) und dem britischen Physiker Paul Dirac (1902–1984)) ist ein Begriff der physikalischen Quantenstatistik.

Sie beschreibt das makroskopische Verhalten eines Systems, das aus vielen gleichen Teilchen vom Typ Fermion besteht, und gilt z. B. für die Elektronen, die in Metallen und Halbleitern für die elektrische Leitfähigkeit sorgen.

Die Ausgangspunkte der Fermi-Dirac-Statistik sind:

  • Keiner der Zustände der einzelnen Teilchen kann mit mehr als einem Teilchen besetzt sein (Pauli-Prinzip).
  • Vertauscht man zwei Teilchen miteinander, erhält man keinen neuen Zustand (der in der statistischen Betrachtung extra zu zählen wäre), sondern denselben wie vorher (Prinzip der Ununterscheidbarkeit gleicher Teilchen).

Die Fermi-Verteilung gibt an, mit welcher Wahrscheinlichkeit in einem idealen Fermigas bei gegebener absoluter Temperatur ein Zustand der Energie von einem der Teilchen besetzt ist. In der statistischen Physik wird die Fermi-Verteilung aus der Fermi-Dirac-Statistik für gleichartige Fermionen für den wichtigen Spezialfall der Wechselwirkungsfreiheit hergeleitet.

Zur vollständigen Beschreibung der Fermi-Dirac-Statistik siehe Quantenstatistik. Für eine vereinfachte Herleitung siehe ideales Fermigas.

Beschreibung

Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren 
Fermi-Verteilung für verschiedene Temperaturen,
zunehmende Abrundung mit steigender Temperatur
(rote Linie: T = 0 K)

Allgemeine Formel

In einem System der Temperatur Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  lautet die Fermi-Verteilung Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , die die Besetzungswahrscheinlichkeit beschreibt:

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren 

mit

  • der Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  für den Zustand eines Teilchens,
  • dem chemischen Potential Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  (Bei Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  gilt Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , wobei Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  als Fermi-Niveau bezeichnet wird),
  • der thermischen Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , wobei Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  die Boltzmann-Konstante ist.

Wird die Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  vom tiefstmöglichen Einteilchenzustand aus gerechnet, heißt Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  auch Fermi-Energie. Die Besetzungswahrscheinlichkeit Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  für einen Zustand mit der Energie des Fermi-Niveaus Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  ist bei allen Temperaturen:

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren 

Um die bei der Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  herrschende Teilchendichte Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  zu berechnen, z. B. für Elektronen in einem Metall, muss die Fermi-Verteilung noch mit der Zustandsdichte Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  multipliziert werden:

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren 

Am absoluten Temperaturnullpunkt

Am absoluten Temperaturnullpunkt Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  befindet sich das Fermi-Gas als Ganzes in seinem energetisch tiefstmöglichen Zustand, also im Grundzustand des Vielteilchensystems. Da (bei genügend großer Teilchenzahl) nach dem Pauli-Prinzip nicht alle Teilchen den Einteilchengrundzustand besetzen können, müssen sich auch am absoluten Temperaturnullpunkt Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  Teilchen in angeregten Einteilchenzuständen befinden. Anschaulich lässt sich das mit der Vorstellung eines Fermi-Sees beschreiben: jedes hinzugefügte Fermion besetzt den tiefstmöglichen Energiezustand, welcher noch nicht von einem anderen Fermion besetzt ist. Die „Füllhöhe“ bestimmt sich aus der Dichte der besetzbaren Zustände und der Anzahl der unterzubringenden Teilchen.

Entsprechend hat die Fermi-Verteilung für die Temperatur Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  einen scharfen Sprung bei der Fermi-Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , die daher auch Fermi-Kante oder Fermi-Grenze genannt wird (siehe Abbildung).

  • Alle Zustände mit Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  sind besetzt, da hier gilt: Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , d. h. die Wahrscheinlichkeit, in einem solchen Zustand eines der Fermionen anzutreffen, ist Eins.
  • Keiner der Zustände mit Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  ist besetzt, da hier gilt: Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , d. h. die Wahrscheinlichkeit, in einem solchen Zustand eines der Fermionen anzutreffen, ist Null.

Das Fermi-Niveau bei Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  ist daher durch die Anzahl und energetische Verteilung der Zustände und die Anzahl der Fermionen, die in diesen Zuständen unterzubringen sind, festgelegt. In der Formel erscheint nur eine Energiedifferenz. Gibt man die Größe der Fermi-Energie allein an, ist es die Energiedifferenz des höchsten besetzten zum tiefstmöglichen Einteilchenzustand. Zur Veranschaulichung oder zur schnellen Abschätzung von temperaturabhängigen Effekten wird diese Größe oft als Temperaturwert – die Fermi-Temperatur – ausgedrückt:

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren .

Bei der Fermi-Temperatur wäre die thermische Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  gleich der Fermi-Energie. Dieser Begriff hat nichts mit der realen Temperatur der Fermionen zu tun, er dient nur der Charakterisierung von Energieverhältnissen.

Bei endlichen Temperaturen

Die Fermi-Verteilung gibt die Besetzungswahrscheinlichkeit im Gleichgewichtszustand zur Temperatur Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  an. Ausgehend von Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  werden bei Erwärmung Zustände oberhalb der Fermi-Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  mit Fermionen besetzt. Dafür bleiben gleich viele Zustände unterhalb der Fermi-Energie leer und werden als Löcher bezeichnet.

Die scharfe Fermi-Kante ist in einem symmetrisch um Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  gelegenen Intervall der Gesamtbreite Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  abgerundet („aufgeweicht“, s. Abb.). Zustände mit kleineren Energien sind nach wie vor nahezu voll besetzt (Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren ), die Zustände bei höheren Energien nur sehr schwach (Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren ).

Da nach wie vor die gleiche Teilchenzahl auf die möglichen Zustände mit der Zustandsdichte Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  zu verteilen ist, kann sich die Fermi-Energie mit der Temperatur verschieben: Ist die Zustandsdichte im Bereich der angeregten Teilchen kleiner als bei den Löchern, steigt die Fermi-Energie, im entgegengesetzten Fall sinkt sie.

Im Temperaturbereich Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  bezeichnet man das System als entartetes Fermi-Gas, denn die Besetzung der Zustände wird maßgeblich durch das Pauli-Prinzip (Ausschließungsprinzip) bestimmt. Dies führt dazu, dass alle Zustände mit Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  die gleiche Wahrscheinlichkeit (von nahezu eins) haben, besetzt zu sein; dies betrifft einen im Vergleich zum Aufweichungsintervall großen Energiebereich.

Bei Energien Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  von mindestens einigen Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  oberhalb von Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , d. h. für Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , lässt sich die Fermi-Verteilung durch die klassische Boltzmann-Verteilung nähern:

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren .

Bei sehr hohen Temperaturen

„Sehr hohe Temperaturen“ sind solche weit oberhalb der Fermi-Temperatur, d. h. Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren . Weil damit das Aufweichungsintervall sehr groß wird, so dass auch für Energien weit oberhalb der Fermi-Energie die Besetzungswahrscheinlichkeit merklich von null verschieden ist, führt die Teilchenzahlerhaltung dazu, dass die Fermi-Energie unter dem niedrigsten besetzbaren Niveau liegt. Das Fermi-Gas verhält sich dann wie ein klassisches Gas, es ist nicht entartet.

Fermi-Verteilung bei Metallen

Für die Leitungselektronen in einem Metall liegt die Fermi-Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  bei einigen Elektronenvolt, entsprechend einer Fermi-Temperatur Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  von einigen 10.000 K. Dies hat zur Folge, dass die thermische Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  viel kleiner ist als die typische Breite des Leitungsbands. Es handelt sich um ein entartetes Elektronengas. Der Beitrag der Elektronen zur Wärmekapazität ist daher schon bei Raumtemperatur vernachlässigbar und kann störungstheoretisch berücksichtigt werden. Die Temperaturabhängigkeit der Fermi-Energie ist sehr gering (meV-Bereich) und wird oft vernachlässigt.

Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren

Für Halbleiter und Isolatoren liegt das Fermi-Niveau in der verbotenen Zone. Im Bereich der Fermi-Kante existieren daher keine Zustände, deren Besetzung deutlich von der Temperatur abhängen kann. Dies führt dazu, dass bei einer Temperatur Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  das Valenzband vollständig mit Elektronen besetzt und das Leitungsband unbesetzt ist, und dass es bei Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  nur sehr wenige Löcher bzw. angeregte Elektronen gibt. Durch Einbringen von Fremdatomen mit zusätzlichen Ladungsträgern (Donator- oder Akzeptordotierung) kann das Fermi-Niveau nach unten bzw. nach oben verschoben werden, was die Leitfähigkeit stark erhöht. In diesem Fall verschiebt sich auch mit der Temperatur das Fermi-Niveau deutlich. Daher arbeiten z. B. elektronische Schaltungen auf Basis von Halbleitern (wie im Computer) nur in einem engen Temperaturbereich richtig.

Herleitung aus einem Minimum der freien Energie

Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren 
Schematisches Zustands-, Energie- und Besetzungsdiagramm für ein System von 7 Energie-Niveaus Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , jeweils Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren -fach entartet und Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren -fach fermionisch besetzt.

Aus der Bedingung, dass im thermischen Gleichgewicht (bei festem Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  und Volumen Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren ) die freie Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  ein Minimum annimmt, kann die Fermi-Dirac-Statistik auf schöne Art hergeleitet werden. Dazu betrachten wir Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  Fermionen – beispielsweise Elektronen –, die über Niveaus Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  verteilt sind. Die Niveaus haben Energien Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  und sind jeweils Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  - fach entartet (s. Abb.), können demnach maximal Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  Elektronen aufnehmen (Pauli-Prinzip). Die Anzahl Elektronen im Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren -ten Niveau wird mit Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  bezeichnet. Für den Makrozustand des Systems ist unerheblich, welche der Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  Elektronen im Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren -ten Niveau sind und welche der Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  Zustände darin sie besetzen. Der Makrozustand wird daher vollständig durch die Folge der Zahlen Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  bestimmt.

Für eine beliebige Verteilung der Elektronen auf die Niveaus gilt:

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren 

Gleichung (1) gibt die Gesamtzahl der Teilchen wieder, die konstant gehalten werden soll, während die einzelnen Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  variiert werden, um das Minimum von Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  zu finden. Gleichung (2) gibt die zur vorliegenden Verteilung gehörende Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  des Systems an, wie sie in die Formel für Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  einzusetzen ist. Gleichung (3) ist (nach Ludwig Boltzmann) die Entropie des Zustands des Systems (Makrozustand), wobei Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  die thermodynamische Wahrscheinlichkeit für die betreffende Folge der Besetzungszahlen Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren , angibt, also die Anzahl der möglichen Verteilungen (Mikrozustände) von jeweils Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  Elektronen auf Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  Plätze, für alle Niveaus Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  zusammen.

Um die Verteilung zu finden, bei der durch Variation der Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  unter der Nebenbedingung Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  die freie Energie Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  minimal wird, benutzen wir die Methode der Lagrange-Multiplikatoren. Es ergibt sich

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  für alle Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren .

Darin ist Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  der (von Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  unabhängige) Lagrange-Multiplikator. Die Ableitung

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren ,

da jedes Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  genau einmal linear in der Summe vorkommt. Für die Berechnung der Ableitung Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  wird die explizite Formel für Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  benötigt:

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Dabei ist

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der Binomialkoeffizient, d. h. die Anzahl der Möglichkeiten, unter Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  Objekten Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  verschiedene auszuwählen.

Mit Hilfe der vereinfachten Stirlingformel Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  ergibt sich weiter

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und damit

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren 

Insgesamt wird Gleichung (2) zu

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren .

Einsetzen der durch Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  gegebenen Besetzungswahrscheinlichkeit Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  und Umstellung ergibt:

    Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren .

Dies ist die Fermi-Dirac-Statistik. Der Lagrangemultiplikator erweist sich als ihr chemisches Potential Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren . Da Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  ist die (implizite) Nebenbedingung Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  für alle Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  erfüllt. Der Grenzfall Fermi-Dirac-Statistik: Beschreibung, Fermi-Verteilung bei Metallen, Fermi-Verteilung bei Halbleitern und Isolatoren  ergibt sich aus stetiger Fortsetzung.

Beobachtungen

In Festkörpern kann die Fermi-Verteilung sehr gut beobachtet werden, wenn die elektronische Besetzungsdichte des Leitungsbandes in Abhängigkeit von der Energie gemessen wird. Ein besonders gutes Beispiel für das ideale Fermigas liegt bei Aluminium vor. Mit solchen Studien lässt sich auch das Auflösungsvermögen einer Messapparatur bestimmen, indem man den Verlauf der Verteilung bei einer bestimmten Temperatur misst und mit der Formel für die Fermi-Verteilung vergleicht.

Weitere Beispiele zur Bedeutung siehe unter Fermi-Energie.

Siehe auch

Literatur

  • Ellen Ivers-Tiffée, Waldemar von Münch: Werkstoffe der Elektrotechnik. 10. Auflage. Vieweg+Teubner, 2007, ISBN 978-3-8351-0052-7.
  • Michael Reisch: Halbleiter-Bauelemente. 2. Auflage. Springer-Verlag, Berlin 2004, ISBN 3-540-21384-8.
  • U. Krey, A. Owen: Basic Theoretical Physics – a Concise Overview. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York 2007, ISBN 978-3-540-36804-5 (englisch).

Einzelnachweise

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