Энергия Сродства К Электрону

 

 

В химии и атомной физике, под объектом, к которому будет присоединяться электрон, подразумевается свободный атом в его основном состоянии или молекула, превращающиеся при этом в отрицательный ион A⁻:

${\displaystyle {\mathsf {A+e^{-}\rightarrow A^{-}+\varepsilon }}.}$ 

Здесь ${\displaystyle \varepsilon }$  — энергия сродства к электрону.

Так понимаемое cродство к электрону численно равно и противоположно по знаку энергии ионизации соответствующего изолированного однозарядного аниона. Оно выражается в килоджоулях на моль (кДж/моль) или в электрон-вольтах на атом (эВ/атом).

В отличие от ионизационного потенциала атома, имеющего всегда эндоэнергетическое значение, сродство атома к электрону описывается как экзоэнергетическими, так и эндоэнергетическими значениями.

Сродство к электрону определяет окислительную способность частицы. Молекулы с большим сродством к электрону являются сильными окислителями. Наибольшим сродством к электрону обладают элементы 1 и 7 группы (p-элементы VII группы). Наименьшее сродство к электрону у атомов с конфигурацией s² (Be, Mg, Zn) и s²p⁶ (Ne, Ar) или с наполовину заполненными p-орбиталями (N, P, As):

Небольшие расхождения в цифрах между табл. 1 и табл. 2 обусловлены тем, что данные взяты из разных источников, а также погрешностью измерений.

Наибольшее значение сродства к электрону имеет гексафторид платины: 7,00±0,35 эВ.

 

 

В физике твёрдого тела, в физике полупроводников и диэлектриков под сродством к электрону понимается разность между энергией края зоны проводимости материала и минимальной энергией электрона в вакууме.

Эта разность равна энергии, выделяющейся при перемещении электрона из вакуума (уровень энергии ${\displaystyle E_{\text{VAC}}}$ ) в среду, с попаданием данного электрона по энергии на дно зоны проводимости ${\displaystyle E_{\text{C}}}$ .

В таком случае объектом, принимающим электрон, становится не отдельный атом или молекула, а толща материала. Для энергии сродства к электрону в физике твёрдого тела используется обозначение ${\displaystyle \chi }$  или ${\displaystyle E_{\text{EA}}}$  (от англ. electron affinity) а в качестве единицы измерения обычно используется электрон-вольт:

${\displaystyle E_{\text{EA}}\equiv \chi =E_{\text{VAC}}-E_{\text{C}}.}$ 

Численные значения величины ${\displaystyle \chi }$  существенно отличаются от значений ${\displaystyle \varepsilon }$  для отдельных атомов того же вещества. Например, сродство к электрону к кремниевому кристаллу составляет 4,05 эВ, а к изолированному атому кремния 1,39 эВ/атом.

Знание величин ${\displaystyle \chi }$  важно для построения энергетических зонных диаграмм многослойных гетероструктур, так как от этих величин зависит разрыв зон на гетерограницах.

Наряду со сродством к электрону при изучении полупроводниковых структур используется понятие работы выхода, равной разности ${\displaystyle W=E_{\text{VAC}}-E_{\text{F}}}$  между уровнем вакуума ${\displaystyle E_{\text{VAC}}}$  и энергией Ферми вблизи поверхности рассматриваемого материала. При этом, если ${\displaystyle \chi }$  практически не зависит от концентрации легирующих примесей и наличия внешнего напряжения, то ${\displaystyle W}$  может варьироваться. Такое варьирование обусловлено изменением положения ${\displaystyle E_{\text{F}}}$  по отношению к краям энергетических зон ${\displaystyle E_{\text{V}}}$ , ${\displaystyle E_{\text{C}}}$ , зависящего, например, от степени легирования.