Galiiii Arsenide
Gali(III) arsenide hay gali arsenua (GaAs) là hợp chất của gali và asen.
Nó là chất bán dẫn với khe III-V (bandgap) trực tiếp với một cấu trúc tinh thể ánh nước kẽm. Arsenua galli được sử dụng trong sản xuất các linh kiện mạch tích hợp tần số vi sóng, mạch tích hợp đơn khối, điốt phát sáng hồng ngoại, điốt laser, các pin năng lượng mặt trời và các cửa sổ quang.
| Gali(III) arsenide | |
|---|---|
 Các mẫu arsenide gali | |
 | |
| Nhận dạng | |
| Số CAS | |
| PubChem | |
| Số EINECS | |
| MeSH | |
| Số RTECS | LW8800000 |
| Ảnh Jmol-3D | ảnh |
| SMILES | đầy đủ
|
| Thuộc tính | |
| Công thức phân tử | GaAs |
| Khối lượng mol | 144.645 g/mol |
| Bề ngoài | Very dark red, vitreous crystals |
| Mùi | garlic-like when moistened |
| Khối lượng riêng | 5.3176 g/cm³ |
| Điểm nóng chảy | 1.238 °C (1.511 K; 2.260 °F) |
| Điểm sôi | |
| Độ hòa tan trong nước | Không hòa tan |
| Độ hòa tan | hòa tan trong HCL không hòa tan ethanol, methanol, acetone |
| BandGap | 1.424 eV (at 300 K) |
| ElectronMobility | 8500 cm²/(V·s) (at 300 K) |
| Độ dẫn nhiệt | 0.55 W/(cm·K) (at 300 K) |
| Chiết suất (nD) | 3.8 |
| Cấu trúc | |
| Cấu trúc tinh thể | Zinc blende |
| Nhóm không gian | T2d-F-43m |
| Hằng số mạng | a = 565.35 pm |
| Tọa độ | Tetrahedral |
| Hình dạng phân tử | Linear |
| Các nguy hiểm | |
| MSDS | External MSDS |
| Phân loại của EU |  T  N |
| NFPA 704 |
1 3 2 |
| Chỉ dẫn R | R23/25, R50/53 |
| Chỉ dẫn S | (S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61 |
| Ký hiệu GHS |   |
| Báo hiệu GHS | DANGER |
| Chỉ dẫn nguy hiểm GHS | H301, H331, H410 |
| Chỉ dẫn phòng ngừa GHS | P261, P273, P301+P310, P311, P501 |
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). | |
Tính chất
Trong hợp chất, gali có trạng thái oxy hóa +3. Đơn tinh thể gali arsenide có thể được điều chế bằng ba quy trình công nghiệp:
- Quá trình đóng băng gradient dọc (VGF).
- Sự phát triển của tinh thể bằng cách sử dụng một lò nung vùng nằm ngang trong kỹ thuật Bridgman-Stockbarger, trong đó gali và hơi asen phản ứng, và các phân tử tự do lắng đọng trên một tinh thể mầm ở cuối lò làm mát.
- Chất tăng trưởng Czochralski (LEC) được đóng gói bằng chất lỏng được sử dụng để tạo ra các tinh thể đơn có độ tinh khiết cao có thể thể hiện các đặc tính bán cách điện (xem bên dưới). Hầu hết các tấm GaAs được sản xuất bằng quy trình này.
Các phương pháp thay thế để sản xuất phim GaAs bao gồm:
- Phản ứng VPE của gali kim loại dạng khí và arsenic trichloride : 2Ga + 2AsCl3 → 2GaAs + 3Cl2
- Phản ứng MOCVD của trimetylgali và arsine : Ga(CH3)3 + AsH3 → GaAs + 3CH4
- Epitaxy chùm phân tử (MBE) của gali và arsen : 4Ga + As4→ 4GaAs hoặc 2Ga + As2→ 2GaAs
Quá trình oxy hóa GaAs xảy ra trong không khí, làm giảm hiệu suất của chất bán dẫn. Bề mặt có thể được thụ động hóa bằng cách lắng đọng một lớp gali(II) sulfide khối bằng cách sử dụng hợp chất tert-butyl gali sulfide như (tBuGaS)
Tham khảo
- Nguồn tham khảo
- Haynes, William M. biên tập (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (ấn bản 92). CRC Press. ISBN 978-1439855119.
Liên kết ngoài
| Wiki Commons có thêm hình ảnh và phương tiện truyền tải về Gali(III) arsenide. |
- Case Studies in Environmental Medicine: Arsenic Toxicity
- Physical properties of gallium arsenide (Ioffe Institute)
- Facts and figures on processing gallium arsenide
 | Bài viết liên quan đến hóa học này vẫn còn sơ khai. Bạn có thể giúp Wikipedia mở rộng nội dung để bài được hoàn chỉnh hơn. |
This article uses material from the Wikipedia Tiếng Việt article Gali(III) arsenide, which is released under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 license ("CC BY-SA 3.0"); additional terms may apply (view authors). Nội dung được phát hành theo CC BY-SA 4.0, ngoại trừ khi có ghi chú khác. Images, videos and audio are available under their respective licenses.
®Wikipedia is a registered trademark of the Wiki Foundation, Inc. Wiki Tiếng Việt (DUHOCTRUNGQUOC.VN) is an independent company and has no affiliation with Wiki Foundation.