Indiumarsenid: Chemische Verbindung

Indiumarsenid ist eine chemische Verbindung von Indium und Arsen.

Sie ist ein Halbleiter und zählt zu den III-V-Halbleitern.

Kristallstruktur
Struktur von Indiumarsenid
_ In3+ 0 _ As3−
Allgemeines
Name Indiumarsenid
Andere Namen

Indium(III)-arsenid

Verhältnisformel InAs
Kurzbeschreibung

grauer, geruchloser Feststoff

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 1303-11-3
EG-Nummer 215-115-3
ECHA-InfoCard 100.013.742
PubChem 91500
ChemSpider 82621
Wikidata Q418583
Eigenschaften
Molare Masse 189,74 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

5,68 g·cm−3

Schmelzpunkt

936 °C

Löslichkeit

nahezu unlöslich in Wasser

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP), ggf. erweitert
Gefahrensymbol Gefahrensymbol

Gefahr

H- und P-Sätze H: 301​‐​331​‐​410
P: 261​‐​264​‐​403+233
Thermodynamische Eigenschaften
ΔHf0

−58,6 kJ/mol

Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Gewinnung und Darstellung

Indiumarsenid bildet sich bei hohen Temperaturen aus den Elementen:

      Indiumarsenid: Gewinnung und Darstellung, Eigenschaften, Verwendung 

Eigenschaften

Indiumarsenid: Gewinnung und Darstellung, Eigenschaften, Verwendung 
InAs-Einkristallbruchstücke

Indiumarsenid kristallisiert in der Sphalerit-Struktur: Arsenid bildet eine kubisch dichteste Kugelpackung und Indium besetzt die Hälfte der Tetraederlücken. Die Bandlücke des Halbleiters beträgt 0,35 eV.

Verwendung

Wie andere III-V-Halbleiter findet Indiumarsenid Anwendung in der Halbleiterindustrie. Es wird für Photodioden in Detektoren für Infrarotstrahlung verwendet. Ein weiteres Anwendungsgebiet sind Laserdioden.

Sicherheitshinweise

Indiumarsenid ist aufgrund des enthaltenen Arsens giftig und cancerogen.

Einzelnachweise

Literatur

Tags:

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