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La mémoire FRAM, mémoire ferro-électrique ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En , Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM. Certaines compagnies, telles que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie.
Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire présentera les avantages suivants :
Les inconvénients sont par contre :
Leur utilisation est destinée aux SSD.
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