หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต
หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต (อังกฤษ: Dynamic random-access memory, DRAM) หรือ ดีแรม เป็นหน่วยความจำชั่วคราวเข้าถึงโดยสุ่ม (หรือ แรม) โดยเก็บข้อมูลแต่ละบิตในแต่ละตัวเก็บประจุซึ่งอยู่ภายในแผงวงจรรวมของหน่วยความจำ การทำงานอาศัยการเก็บประจุและการเสียประจุของแต่ละตัวเก็บประจุซึ่งจะใช้แทนค่า 0 และ 1 ของแต่ละบิตได้ แต่เมื่อหน่วยความจำมีการเสียประจุออกจึงทำให้ข้อมูลที่เก็บไว้นั้นอันตรธานหายไปด้วย ดังนั้นการใช้ดีแรมจึงต้องมีการทวนความจำให้กับดีแรมอย่างสม่ำเสมอตราบเท่าที่ยังต้องการให้มันเก็บข้อมูลได้อยู่ จึงทำให้เรียกแรมชนิดนี้ว่าพลวัต (ซึ่งต่างจากเอสแรม) และทำให้ดีแรมถือเป็นหน่วยความจำชั่วคราวด้วย
บทความนี้ไม่มีการอ้างอิงจากแหล่งที่มาใด |
ดีแรมยังถูกใช้เป็นหน่วยความจำหลักในระบบคอมพิวเตอร์ เช่น คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ, โน้ตบุ๊ค และสมาร์ทโฟน กล่าวคือคำว่า "แรม" ที่นิยมเรียกกันนั้นก็เป็นแรมชนิด ดีแรม นั่นเอง (เป็นประเภท DDR SDRAM)
จุดเด่นอย่างหนึ่งของดีแรมก็คือความง่ายของโครงสร้าง กล่าวคือมีเพียงทรานซิสเตอร์หนึ่งตัวประกอบกับตัวเก็บประจุหนึ่งตัวก็เพียงต่อการเก็บข้อมูลหนึ่งบิตแล้ว ต่างกับหน่วยความจำอย่างเอสแรมที่อาจะต้องใช้ 4-6 ทรานซิสเตอร์เพื่อเก็บข้อมูลหนึ่งบิตเท่ากัน ความง่ายนี่เองทำให้ดีแรมมีความจุต่อพื้นที่สูงกว่าเอสแรม และได้รับความนิยมมากกว่า
This article uses material from the Wikipedia ไทย article หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต, which is released under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 license ("CC BY-SA 3.0"); additional terms may apply (view authors). เนื้อหาอนุญาตให้เผยแพร่ภายใต้ CC BY-SA 4.0 เว้นแต่ระบุไว้เป็นอื่น Images, videos and audio are available under their respective licenses.
®Wikipedia is a registered trademark of the Wiki Foundation, Inc. Wiki ไทย (DUHOCTRUNGQUOC.VN) is an independent company and has no affiliation with Wiki Foundation.